Plasma-assistierte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD)

Gasförmige molekulare Vorstufen werden in einem Radiofrequenz-Plasma (RF-Plasma) unter reduziertem Druck zersetzt. Im Vergleich zu thermischen CVD-Prozessen erfolgt die Beschichtung nahe Raumtemperatur, so dass auch temperaturempfindliche Substrate mit beschichtet werden können.

Details

Eigenschaften

Homogenität
Geschwindigkeit
Skalierbarkeit
Kosten
  • Temperaturbereich
    40 - 80 °C
    Substrattemperatur
  • Dimensionen
    10 x 10 cm2
    maximale Substratgröße
  • Schichtdicke
    20 nm - 10 µm
  • Druckbereich
    100 - 1 Pa
    Vakuum